ارائه کننده: سینا بهزادجزی استاد راهنما: دکتر سارا درباری استاد ناظر داخلی: دکتر کاظم مروج فرشی استاد ناظر خارج از دانشگاه: دکتر جواد کوهسرخی (دانشگاه تهران) تاریخ: ۱۴۰۳/۰۸/۱۵ ساعت: ۱۳ مکان: دانشکده‌های فنی مهندسی، بلوک ۳، اتاق 351

چکیده: امروزه مواد پیزوالکتریک در ادوات الکترونیکی بسیاری، از جمله حسگر‌ها و آشکار ساز‌هاییهم چون: ترازو‌های دیجیتالی، حسگر‌های تشخیص ضربان نبض، آشکار ساز‌های فرا صوتی، میکروفون ها، ادوات موسیقی و غیره به کار میروند. در این پژوهش برای اولین بار، خاصیت پیزوالکتریک پروسکایت‌های دو بعدی فاز رادلسدن-پاپر، با فرمول (BA) ₂ (MA) _n-1Pb_nI_3n+1   از n=۱-۴ را مورد بررسی قرار دادیم. برای بررسی وجود و هم چنین مقدار پیزوالکتریسیتهٔ ماده، نیاز بود تا ضریب پیزوالکتریک کرنش یا d₃₃ محاسبه شود. دراین پژوهش، با کمک روش تداخل سنج لیزری مایکلسون، که مبتنی بر خاصیت پیزوالکتریک معکوس است، مقدار ضریب d₃₃ را به دست آوردیم. در ابتدا برای صحت دقت تداخل سنج مایکلسون، مقدار ضریب پیزوالکتریک را، برای مواد پیزوالکتریک شناخته شده‌ایهم چون PZT، LiNbO₃ محاسبه کردیم. که برای مادهٔ PZT، مقدار آن بینpm/V     300-350 در فرکانس‌های کمتر از ۵ کیلوهرتز محاسبه شد، که در مقایسه این عدد با عدد به دست آمده در مراجع، تداخل سنج از دقت بسیار خوبی برخوردار بود. سپس برای بررسی خاصیت پیزوالکتریک پروسکایت‌های دوبعدی، با استفاده از روش لایه نشانی Hot cast، لایه‌هاییبر پایهٔ این مواد ایجاد کردیم که با اعمال میدان الکتریکی بین دو فیلم و قرار دادن آن‌ها در تداخل سنج مایکلسون مقدار ضریب d₃₃، محاسبه می‌شد. در پژوهش انجام شده، تاثیر دمای Hot cast بر مقدار ضریب پیزوالکتریک برای پروسکایت لایهٔ n=۱ بررسی شد. نتایج نشان می‌داد با افزایش دمای Hot cast، به دلیل بهتر شدن کیفیت فیلم‌های لایه نشانی شده، مقدار ضریب پیزوالکتریک افزایش پیدا می‌کند. بیشترین مقدار ضریب پیزوالکتریک برای لایهٔ n=۱، در دمای Hot cast ۱۵۰ درجه با مقدارpm/V ۱۱.۲۶ به دست آمد. هم چنین مقدار ضریب پیزوالکتریک برای لایه n=۴ نیز به دست آمد، که نشان میداد در فرکانس‌های رزونانس، مقدار ضریب پیزوالکتریک با مقادیر به دست آمده برای مادهٔ MAPbI₃ مقداری نزدیک دارد. بیشترین مقدار ضریب پیزوالکتریک برای n=۴ در دمای Hot cast ۱۵۰ درجه، مقدار pm/V ۱۲.۲۳ به دست آمد. این تحقیق برای اولین بار به صورت مستقیم، خاصیت پیزوالکتریک را در این پروسکایت‌های دو بعدی نشان می‌دهد. با توجه به خاصیت نوری شاخص در این لایه ها، توام بودن با خاصیت پیزوالکتریک می‌تواند راه گشای ایجاد ادوات پیزو-فوتوترونیک بر مبنای این لایه‌ها باشد.